TGV高深寬比封裝全濕式製程整合方案
技術特色
高深寬比(AR≧15)、高附著力TGV濕式封裝整合技術,成功實現面板級封裝製程
技術說明
因應AI晶片與高速運算對高密度封裝的需求快速攀升,工研院開發全台首創「面板級封裝高深寬比TGV全濕式整合製程」方案,整合雷射改質鑽孔、濕式附著層、晶種層與高深寬比電鍍等關鍵製程,成功建立完整的面板級封裝技術鏈。該技術可應用於深寬比 ≥10 的玻璃通孔結構,具備90%以上填孔率與900 gf/cm以上附著力,並支援6至12吋晶圓及300×300 mm大尺寸玻璃基板。相較於傳統製程,材料利用率可提升至7倍,有效降低製程成本與資源耗損。此方案成功克服玻璃通孔在高深寬比下的封裝瓶頸外,亦整合本土材料與設備廠商,建立具量產能力的國產供應鏈,提升半導體產業自主能量,並為台灣在高階封裝領域開拓新藍海市場。
技術照片
技術聯絡人
姓名:呂曼寧
電話:03-5915832
信箱:mnlu10270@itri.org.tw
