技術特色

線路解析度 @線寬: 3 μm; Via: 6 μm
RDL層數: 3層 (雙面)
基板翹曲: < 0.3 mm @G2.5 (含面板級模封)
銅柱尺寸: 150 μm; 銅柱高度: 90 μm
基板尺寸: 370 X 470 mm² (G2.5)

技術說明

因應未來IC高速運算需求，開發低翹曲高解析面板級封裝雙面RDL技術，以封裝廠與面板廠既有的單面製程流程為基礎，開發大尺寸低翹曲雙面RDL (37 X 47 cm²) 並導入面板級銅柱製程串接上下層RDL的電性，此外，高解析線路 (3 μm) 亦可運用於晶片優先 (Chip First) IC封裝之重佈線層 (Redistribution Layer, RDL) 的晶片位移補償能力，可應用於先進封裝所亟需的面板級中介層。

技術照片