技術特色

本技術基於EPCIO控制架構，達成100nm定位精度；結合高速觸發模組，實現穩定雷射加工之需求。

技術說明

本技術以全數位多軸運動控制技術為核心，開發精密平台控制器技術、連續位置擷取技術以及高速觸發技術，應用於半導體先進移載設備關鍵模組。控制器搭配高精密氣浮實驗平台，其設計透過磁浮氣靜壓機構，結合磁懸浮設計與氣靜壓設計，基於氣靜壓機構之低摩擦力基底下提升結構剛性，並且搭配可調式阻尼主被動抑震系統，可達±100nm控制精度、250kHz無上限多軸連續位置擷取以及3維座標最高18MHz觸發輸出，可支援半導體TGV應用，解決雷射高速鑽孔平台位置與雷射光束同步之問題，填補產業國產化缺口。

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